SI4447DY-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
72mOhm @ 4.5A, 15V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
15V, 10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
Vgs (Max):
±16V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
805 pF @ 20 V
マウントタイプ:
表面マウント
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4447
導入
Pチャンネル 40 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) 表面マウント 8-SOIC
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