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SIR872ADP-T1-RE3

メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
47 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
18mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
7.5V, 10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (最大):
±20V
Product Status:
Active
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1286 pF @ 75 V
Mounting Type:
Surface Mount
シリーズ:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
53.7A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR872
導入
Nチャンネル 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SO-8
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: