SIR690DP-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
37 nC @ 7.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
7.5V,10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
200V
Vgs (Max):
±20V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1935 pF @ 100 V
マウントタイプ:
表面マウント
Series:
ThunderFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
34.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR690
導入
Nチャンネル 200 V 34.4A (Tc) 104W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SO-8
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