SI4058DY-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
26mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
690 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.3A (Tc)
電力損失（最高）:
5.6W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
基本製品番号:
SI4058
導入
Nチャンネル 100 V 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) 表面マウント 8-SOIC
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