SQM120P06-07L_GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FETの特徴:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
270 NC @ 10ボルト
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.7mOhm @ 30A, 10V
FETタイプ:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
14280 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
導入
Pチャンネル 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) 表面マウント TO-263 (D2Pak)
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