SIR873DP-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
47.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1805 pF @ 75 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET® Gen IV
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
37A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR873
導入
Pチャンネル 150 V 37A (Tc) 104W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SO-8
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