SQ2362ES-T1_GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FETの特徴:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
12 NC @ 10ボルト
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
95mOhm @ 4.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
550 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQ2362
導入
Nチャンネル 60 V 4.3A (Tc) 3W (Tc) 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)
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