SIR826DP-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
90 NC @ 10ボルト
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.8mOhm @ 20A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (最大):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2900 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR826
導入
Nチャンネル 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SO-8
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