SI7611DN-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
62 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 9.3A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (最大):
±20V
Product Status:
Active
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1980 pF @ 20V
Mounting Type:
Surface Mount
シリーズ:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7611
導入
Pチャンネル 40 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) 表面マウント パワーPAK® 1212-8
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