SI7850DP-T1-E3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (最大):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
供給者のデバイスパッケージ:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 10.3A, 10V
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.8W (Ta)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.2A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7850
導入
Nチャンネル 60 V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) 表面マウント PowerPAK® SO-8
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