SIRA18DP-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21.5 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
Vgs (Max):
+20V, -16V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1000 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIRA18
導入
Nチャネル 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) 表面マウント パワーPAK® SO-8
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