SI2333CDS-T1-E3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 4.5 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 5.1A,4.5V
FET Type:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.8V、4.5V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1225 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2333
導入
Pチャンネル 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)
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