SIHG47N60AE-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
182 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 24A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3600 pF @ 100 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
E
Supplier Device Package:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
43A (Tc)
電力損失（最高）:
313W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Base Product Number:
SIHG47
導入
Nチャネル 600 V 43A (Tc) 313W (Tc) トー-247ACの穴を通る
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