IRFBC30PBF
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
31 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
660 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
74W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFBC30
導入
Nチャネル 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) トー-220ABの穴を通る
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