SQJA62EP-T1_GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
4.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5100 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
68W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQJA62
導入
Nチャンネル 60V 60A (Tc) 68W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SO-8
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