IRF730PBF
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1Ohm @ 3.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
400 V
Vgs (Max):
±20V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
700 pF @ 25 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
Series:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.5A （Tc）
Power Dissipation (Max):
74W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF730
導入
Nチャネル 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) 穴を通ってTO-220AB
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