SI3456DDV-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 5A, 10V
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
Vgs (Max):
±20V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
325 pF @ 15 V
マウントタイプ:
表面マウント
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
6-TSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI3456
導入
Nチャンネル 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) 表面マウント 6-TSOP
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