IRFD110PBF
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
Package / Case:
4-DIP (0.300", 7.62mm)
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
8.3 NC @ 10ボルト
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 600mA, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
パッケージ:
トューブ
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
4-HVMDIP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFD110
導入
Nチャネル 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) 穴を介して 4-HVMDIP
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