試験試験試験の試験結果
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
135mOhm @ 3.4A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Base Product Number:
SI7818
導入
Nチャンネル 150 V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) 表面マウント PowerPAK® 1212-8
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象である. |
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