SQD50P04-09L_GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.4mOhm @ 17A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6675 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
50A （Tc）
Power Dissipation (Max):
136W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Base Product Number:
SQD50
導入
Pチャンネル 40 V 50A (Tc) 136W (Tc) 表面マウント TO-252AA
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