SI2307BDS-T1-E3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
78mOhm @ 3.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (最大):
±20V
Product Status:
Active
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
380 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
シリーズ:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
750mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2307
導入
Pチャンネル 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)
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