SI1416EDH-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
58mOhm @ 3.1A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、10V
Power Dissipation (Max):
2.8W (Tc)
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
3.9A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
基本製品番号:
SI1416
導入
Nチャンネル 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) 表面マウント SC-70-6
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