試験試験試験の試験結果
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
36 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29mOhm @ 5.4A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1295 pF @ 15 V
マウントタイプ:
表面マウント
Series:
TrenchFET®
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
7.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Base Product Number:
SI2369
導入
Pチャンネル 30 V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)
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試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象である. |
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