SI2301BDS-T1-E3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
Vgs (Max):
±8V
製品の状況:
アクティブ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
375 pF @ 6 V
マウントタイプ:
表面マウント
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
700mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2301
導入
Pチャンネル 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)
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