SQM120P10_10M1LGE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
190 NC @ 10ボルト
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
FETタイプ:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (最大):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
導入
Pチャンネル 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) 表面マウント TO-263 (D2Pak)
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