SI3459BDV-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
216mOhm @ 2.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (最大):
±20V
Product Status:
Active
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
350 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
シリーズ:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
6-TSOP
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.9A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI3459
導入
Pチャンネル 60 V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 表面マウント 6-TSOP
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