SIR681DP-T1-RE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETタイプ:
P-Channel
FETの特徴:
-
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.6V @ 250µA
シリーズ:
トレンチFET® Gen IV
Vgs (最大):
±20V
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
105 NC @ 10ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
PowerPAK® SO-8
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
11.2mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
4850 pF @ 40 V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
80V
電力損失（最高）:
6.25W (Ta),104W (Tc)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® SO-8
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
17.6A (Ta),71.9A (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SIR681
導入
Pチャンネル 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 表面マウント パワーPAK® SO-8
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