指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
24 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 1.5A、10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
500ボルト
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
360 pF @ 25 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
電力損失(最高):
50W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
IRF820
導入
Nチャネル 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) 穴を通ってTO-220AB
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