SIA456DJ-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.4V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
パワーPAK® SC-70-6
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
14.5 nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
1.38Ohm @ 750mA 4.5V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.8V、4.5V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
200V
Vgs (最大):
±16V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
350 pF @ 100 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
TrenchFET®
供給者のデバイスパッケージ:
パワーPAK® SC-70-6
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
2.6A (Tc)
電力損失（最高）:
3.5W (Ta),19W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SIA456
導入
Nチャネル 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SC-70-6
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