指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
19 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 2.7A, 10V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
650 pF @ 20 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
トレンチFET® Gen III
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
2.7A (Ta),3.6A (Tc)
電力損失(最高):
1W (Ta)、1.7W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
SI2319
導入
Pチャンネル40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 表面マウントSOT-23-3 (TO-236)
関連製品

2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象である.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

SI4058DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

試験試験試験試験試験
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3

IRFS9N60ATRLPBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263

SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263

試験対象は,
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

IRFU420PBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7456CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

SIR690DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8

SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8

SI7463ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3

SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
![]() |
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
![]() |
試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象は,試験対象である. |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
![]() |
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
![]() |
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
|
![]() |
SQSA12CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
|
|
![]() |
SI4058DY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
|
|
![]() |
試験試験試験試験試験 |
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
|
|
![]() |
IRFS9N60ATRLPBF |
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
|
|
![]() |
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
![]() |
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
![]() |
試験対象は, |
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
|
|
![]() |
IRFU420PBF |
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
|
|
![]() |
SI7135DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIR872ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7456CDP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIR690DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SQJ431AEP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SISS71DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
|
|
![]() |
SQJA68EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
|
|
![]() |
SI2328DS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
|
|
![]() |
SI2329DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
|
|
![]() |
SI2319CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: