SI7137DP-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.4V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
585 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
1.95mOhm @ 25A, 10V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
Vgs (最大):
±12V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
20000 pF @ 10 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
TrenchFET®
供給者のデバイスパッケージ:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
60A （Tc）
電力損失（最高）:
6.25W (Ta),104W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SI7137
導入
Pチャネル 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 表面マウント パワーPAK® SO-8
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