SI3458BDV-T1-GE3
メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
3V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SOT-23-6 薄型,TSOT-23-6
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 3.2A, 10V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
350 pF @ 30 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
TrenchFET®
供給者のデバイスパッケージ:
6つのTSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
4.1A （Tc）
電力損失（最高）:
2W (Ta),3.3W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
基本製品番号:
SI3458
導入
Nチャンネル 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 表面マウント 6-TSOP
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