フィルター
フィルター
トランジスタ
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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SI7216DN-T1-E3 |
MOSFET DUAL N-CH 40V ((D-S)
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ビシャイ半導体
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FCPF22N60NT |
MOSFET 600V NチャネルSUPREMOS
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フェアチャイルド半導体
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FCH072N60 |
MOSFET スーパーFET2 600V 急速
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フェアチャイルド半導体
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IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6.1Amp
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ビシャイ半導体
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FDP61N20 |
MOSFET 200V NチャネルMOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FQB4N80TM |
MOSFET 800V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FQP12P20 |
MOSFET 200V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FDT86102LZ |
MOSFET 100V Nチャネル電源 トレンチ MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FQB7P20TM |
MOSFET 200V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FQB33N10TM |
MOSFET 100V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FQT4N25TF |
MOSFET 250V シングル
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フェアチャイルド半導体
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SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET デュアルN-Ch MOSFET 20V 700モハム @ 4.5V
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ビシャイ半導体
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DMP4051LK3-13 |
MOSFET 強化モード MOSFET 40V Pチャネル
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ディオード組み込み
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BSS138BK215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
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ネクスペリア
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SI7236DP-T1-GE3 |
MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V
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ビシャイ半導体
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IXFX64N50P |
MOSFET 64.0 アンペア 500 V 0.09 オーム Rds
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イクシス
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SIZ340DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V.0095ohm@10V 30A ダブル N-Ch T-FET
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ビシャイ半導体
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BSC014N04LSI |
MOSFET N CH 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IPB117N20NFD |
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SI3590DV-T1-E3 |
MOSFET N&P-CH 30V (D-S)
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ビシャイ半導体
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FDD6N50TM |
MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH シングル
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フェアチャイルド半導体
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IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38アンペア
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ビシャイ半導体
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SPP20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SPB17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 クールモス C3
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
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シリコンニックス / ビシャイ
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FDPF045N10A |
MOSFET 100V Nチャネル電源 トレンチ MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V/20V Nch パワートランチ MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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試験対象は,試験対象は, |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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NVD5117PLT4G |
MOSFET 60V T1 PCH DPAK
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単体
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FDMC86520DC |
MOSFET 60V N-Chan デュアルクール パワー トレンチ MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FQPF65N06 |
MOSFET 60V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FQP9P25 |
MOSFET 250V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FDS6699S |
MOSFET 30V N-Ch パワー トレンチ シンクFET
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フェアチャイルド半導体
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SI9945BDY-T1-GE3 |
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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ZXMS6004FFTA |
MOSFET 60V Nチャネル 自衛
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ディオード組み込み
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SI9933CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
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ビシャイ半導体
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SIR878ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
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ビシャイ半導体
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IPW90R120C3 |
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 クールモス C3
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インフィニオン・テクノロジーズ
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BSC010NE2LSI |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 オプティモス
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インフィニオン・テクノロジーズ
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試験対象は, |
MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @10V
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ビシャイ半導体
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BSC050NE2LS |
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 オプティモス
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IXFH40N85X |
MOSFET 850V超交差点 Xクラス Pwr MOSFET
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イクシス
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TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A から 220SIS
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トシバ
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STL220N6F7 |
MOSFET Nチャネル 60 V,0.0012 オームタイプ 120 A STripFET F7 パワー MOSFET
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STMマイクロ電子機器
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BLF574 |
RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A
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アムプレオン アメリカ 株式会社
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FZT603TA |
ダリングトントランジスタ NPN ダリングトン
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ディオード組み込み
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IKW20N60T |
IGBT トランジスタ 低負荷 デュオパック 600V 20A
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インフィニオン・テクノロジーズ
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ULN2003AN |
ダーリントンのトランジスター ダーリントン
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テキサス・インストラクション
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FGA20N120FTDTU |
IGBT トランジスタ 1200V N-Chan トレンチ
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フェアチャイルド半導体
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STGWA60H65DFB |
IGBTトランジスタ IGBT&パワーバイポーラー
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STMマイクロ電子機器
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