TK12A60D
メーカー:
トシバ
記述:
MOSFET N-CH 600V 12A から 220SIS
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±30V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
12A （Ta）
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
穴を抜ける
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
38nC @ 10V
製造者:
トシバ
最低の量:
2500
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
工場用品:
0
動作温度:
150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
π-MOSVII
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1800pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220SIS
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
トューブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
550 mOhm @ 6A, 10V
電力損失（最高）:
45W （Tc）
パッケージ/ケース:
TO-220-3完全なパック
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 1mA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
600V
導入
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