フィルター
フィルター
トランジスタ
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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IPT004N03L |
MOSFET MV POWER MOS
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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ビシャイ半導体
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SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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ビシャイ半導体
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FDD8874 |
MOSFET 30V Nチャネル電源トランチ
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フェアチャイルド半導体
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IRF520PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9.2Amp
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ビシャイ半導体
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BSC097N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SI4410BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 10A 2.5W
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ビシャイ半導体
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SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET 負荷スイッチ 1.8V RA W/レベルシフト
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ビシャイ半導体
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BSS84215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
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ネクスペリア
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IPW60R041C6 |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 クールモス C6
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インフィニオン・テクノロジーズ
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BSG0811ND |
MOSFET 差別化されたMOSFET
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インフィニオン・テクノロジーズ
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Ipw65r045c7 |
MOSFET N CH 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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インフィニオン・テクノロジーズ
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FDS4435BZ |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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単体
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FDP20N50 |
MOSFET N-CH 500V 20A から 220
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単体
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IRFP4868PBF |
MOSFET N-CH 300V 70A から 247AC
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インフィニオン・テクノロジーズ
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2SA1244-Y |
シリコンPNP電源トランジスタ
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トシバ
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SPP20N60CFD |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 クールモス CFD
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インフィニオン・テクノロジーズ
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STB35N65M5 |
MOSFET パワー MOSFET N-CH 650V
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STMマイクロ電子機器
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IXFN44N60 |
MOSFET 44 アムペア 600V
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イクシス
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IXFN180N20 |
MOSFET 200V 180A
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イクシス
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SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V パワーパック SO-8タイプ Rds ((オン) 24mohm
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シリコンニックス / ビシャイ
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IXFP14N60P |
MOSFET 600V 14A
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イクシス
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FQA24N50 |
MOSFET 500V NチャネルQFET
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単体
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BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
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ディオード組み込み
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SIS862DN-T1-GE3 |
MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
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ビシャイ半導体
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2N7002DW |
MOSFET N-Chan強化モード フィールド効果
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フェアチャイルド半導体
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SI1553CDL-T1-GE3 |
MOSFET 20V 0.7/-05
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ビシャイ半導体
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FDP075N15A_F102 |
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench オーバーライン
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フェアチャイルド半導体
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NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
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単体
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APT14M100B |
MOSFET パワー MOSFET - MOS8
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ミクロセミ
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DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh モード FET 60V 20Vgss 1.2A
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ディオード組み込み
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NX7002BKSX |
MOSFET 60V,ダブルNチャネルトランッチMOSFET
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ネクスペリア
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IPW65R150CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IXFH30N60P |
MOSFET 600V 30A
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イクシス
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IXTH20P50P |
MOSFET -20.0Amp -500V 0.450Rds 電気回路
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イクシス
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IXTA96P085T |
MOSFET -96 アンペア -85V 0.013 Rds
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イクシス
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NX3008NBKS115 |
MOSFET 30V 350 MA ダブル N-CH トレンチ MOSFET
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ネクスペリア
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FDPF20N50 |
MOSFET 500V N-CH MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FQA28N15 |
MOSFET 150V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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SI4288DY-T1-GE3 |
MOSFET 40 ボルト 9.2 アンペア 3.1 ワット
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ビシャイ半導体
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FQP12P10 |
MOSFET 100V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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SI4401DDY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16.1A P-CH MOSFET
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ビシャイ半導体
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FDS6912A |
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
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フェアチャイルド半導体
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2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5オーム
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単体
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NX7002AK |
MOSFET 60 V,単 N-chan トレンチ MOSFET
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ネクスペリア
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SIZ918DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12モハム / 3.7モハム@10V
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ビシャイ半導体
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試験試験試験の試験結果 |
MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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IRFBF20PBF |
MOSFET N-Chan 900V 1.7アンパール
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ビシャイ半導体
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SI1034X-T1-GE3 |
MOSFET デュアルN-Ch MOSFET 20V 5.0オーム @ 4.5V
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ビシャイ半導体
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IPA60R190P6 |
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM について
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インフィニオン・テクノロジーズ
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