DMN61D9UW-7
メーカー:
ディオード組み込み
記述:
MOSFET N-Ch Enh モード FET 60V 20Vgss 1.2A
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
340 mA
マウントスタイル:
SMD/SMT
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
SOT-323-3
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
60V
パッケージ:
リール
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
500 mV
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
1.2オーム
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
400 PC
製造者:
ディオード組み込み
導入
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