NVD5117PLT4G
メーカー:
単体
記述:
MOSFET 60V T1 PCH DPAK
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
P-Channel
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
SMD/SMT
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-252-3
最大動作温度:
+ 175 C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
- 60V
パッケージ:
リール
ID -連続的な下水管の流れ:
- 61A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
16のmOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
85年
製造者:
一半
導入
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