FQP13N50C
メーカー:
単体
記述:
MOSFET 500V N-Ch Q-FET 前進式Cシリーズ
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
13 A
マウントスタイル:
穴を抜ける
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
TO-220-3
最大動作温度:
+150C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
500ボルト
パッケージ:
トューブ
製品カテゴリー:
MOSFET
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
30V
Rdsのオン下水管源の抵抗:
480mOhms
製造者:
一半
導入
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