BVSS123LT1G
メーカー:
単体
記述:
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
テクノロジー:
Si
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
SMD/SMT
パッケージ/ケース:
SOT-23-3
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
100V
パッケージ:
リール
ID -連続的な下水管の流れ:
170mA
チャンネル数:
1 チャンネル
Rdsのオン下水管源の抵抗:
6オーム
製造者:
一半
導入
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