STGWA60H65DFB
メーカー:
STMマイクロ電子機器
記述:
IGBTトランジスタ IGBT&パワーバイポーラー
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
250nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
80A
Pd - エネルギー分散:
375 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
650ボルト
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
+/- 20ボルト
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
2ボルト
製造者:
STMマイクロ電子機器
導入
STGWA60H65DFBは,STMmicroelectronicsから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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