フィルター
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トランジスタ
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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試験試験試験試験の試験結果 |
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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試験試験試験の試験結果 |
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
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ヴィシャイ シリコンニックス
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PMV45EN2R |
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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BSS138PW115 |
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
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Nexperia USA Inc.
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BSH103215 |
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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2N7002ET1G |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
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単体
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BSS138-7-F |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
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ディオード組み込み
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DMP3098L-7 |
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
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ディオード組み込み
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SCT3030ARC14 |
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
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ローム半導体
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Si1012CR-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V SC75A
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SCT3160KLGC11 |
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
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ローム半導体
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試験試験試験の試験結果 |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SSM3J332R,LF |
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
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トシバ半導体およびストレージ
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2N7002K-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
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ヴィシャイ シリコンニックス
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2N7002BK215 |
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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RE1C002UNTCL |
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
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ローム半導体
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SCT3030KLGC11 |
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
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ローム半導体
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IRFR7440TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SUD19P06-60-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SIR426DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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NDT452AP |
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
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単体
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SIS434DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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試験用薬の種類について |
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI4425DDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI7149ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI2343DS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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DMP6350S-7 |
MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
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ディオード組み込み
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DMP3056LDM-7 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
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ディオード組み込み
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NVR5198NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
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単体
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SI2301BDS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI1308EDL-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI2304DDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
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ヴィシャイ シリコンニックス
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NTR4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
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単体
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RU1J002YNTCL |
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
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ローム半導体
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2N7002-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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ディオード組み込み
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CA3046 |
CA3046 - GENERAL PURPOSE NPN TRA
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ロチェスター・エレクトロニクス
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DE150-501N04A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
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IXYS-RF
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DE475-102N21A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE475
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IXYS-RF
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DE375-102N12A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
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IXYS-RF
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DE275-102N06A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
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IXYS-RF
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IXTA4N150HV |
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
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イクシス
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IXFH6N120P |
MOSFET N-CH 1200V 6Aから247AD
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イクシス
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IXFN420N10T |
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
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イクシス
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IXFH50N85X |
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
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イクシス
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IXTQ22N50P |
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
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イクシス
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IXTQ76N25T |
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
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イクシス
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IXFN82N60P |
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
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イクシス
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IXFH150N25X3 |
MOSFET N-CH 250V 150A TO247
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イクシス
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IXFN110N60P3 |
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
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イクシス
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BCM846BS |
BJT, SOT-363, 65V, 100MA, 0
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ダイオテック半導体
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