IXFH50N85X
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5.5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
152 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
105mOhm @ 500mA 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
850 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4480 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Ultra X
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH50
導入
Nチャネル 850V 50A (Tc) 890W (Tc) 穴を通ってTO-247 (IXTH)
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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IXFH15N80 |
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IXFH26N50Q |
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IXFN36N100 |
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