IXFN38N100Q2
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SOT-227-4 ミニブロック
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 19A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Q2 Class
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
38A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN38
導入
Nチャネル 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) シャーシマウント SOT-227B
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