フィルター
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分離した半導体製品
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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FDB52N20TM |
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
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単体
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SIR826DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDB2552 |
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
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単体
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SIR470DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
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ヴィシャイ シリコンニックス
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IRF9510PBF |
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDD2572 |
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
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単体
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PSMN013-100YSEX |
MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
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Nexperia USA Inc.
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SI4401BDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SIS402DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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試験試験試験試験用 |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI7611DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDD6637 |
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
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単体
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DN2540N8-G |
MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
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マイクロチップ技術
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IRFR9310TRPBF |
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI7113DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI7454DDP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI4090DY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SIS468DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDMC6679AZ |
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
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単体
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IRFL9110TRPBF |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDS6679AZ |
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
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単体
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SI4056DY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FQT7N10LTF |
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
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単体
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SIA449DJ-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SIS488DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
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ヴィシャイ シリコンニックス
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試験試験試験試験用 |
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDD120AN15A0 |
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
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単体
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ZXMP6A17GTA |
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
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ディオード組み込み
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NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
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単体
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SQ2309ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
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ヴィシャイ シリコンニックス
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NVGS5120PT1G |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
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単体
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ZXMP6A17E6TA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
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ディオード組み込み
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試験試験試験試験試験の試験結果 |
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI2323DS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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BSS84LT1G |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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単体
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FDC655BN |
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
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単体
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NTR4171PT1G |
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
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単体
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SI2301CDS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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SI2318CDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
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ヴィシャイ シリコンニックス
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FDN337N |
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
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単体
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NTR0202PLT1G |
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
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単体
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BSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
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単体
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NTR4003NT1G |
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
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単体
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BSS123LT1G |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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単体
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IXFN80N50Q3 |
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
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イクシス
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IXFX32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
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イクシス
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