IXFX32N100Q3
メーカー:
イクシス
記述:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9940 pF @ 25 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
Series:
HiPerFET™, Q3 Class
供給者のデバイスパッケージ:
PLUS247™-3
Mfr:
IXYS
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
32A （Tc）
Power Dissipation (Max):
1250W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Base Product Number:
IXFX32
導入
Nチャネル 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) 穴を通る PLUS247TM-3
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