FDG6304P
メーカー:
単体
記述:
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
部門:
半導体
指定
供給者のデバイスパッケージ:
SC-70-6
製品カテゴリー:
MOSFET
工場用品:
0
最低の量:
3000
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
62pF @ 10V
パッケージ/ケース:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について
部品のステータス:
アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
410mA
パッケージ:
テープ&リール (TR)
@ qty:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
2 P-Channel （二重）
FETの特徴:
論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss):
25V
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
1.5nC @ 4.5V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
1.1オム @ 410mA 4.5V
パワー - マックス:
300mW
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.5V @ 250µA
シリーズ:
-
製造者:
一半
導入
FDG6304Pは,onsemiから,MOSFETです. 私たちが提供するものは,世界の市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
関連製品
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: