NTR4170NT1G
メーカー:
単体
記述:
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±12V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
-
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
4.76nC @ 4.5V
製造者:
一半
最低の量:
3000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
2.5V、10V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
432pF @ 15V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
55mOhm @ 3.2A, 10V
電力損失（最高）:
480mW (Ta)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs(th) (最大) @ Id:
1.4V @ 250µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
導入
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