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FDT1600N10ALZ

メーカー:
単体
記述:
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
3.77nC @ 10V
製造者:
一半
最低の量:
4000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
5V、10V
工場用品:
0
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
PowerTrench®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
225pF @ 50V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-223-4
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
160mOhm @ 2.8A, 10V
電力損失(最高):
10.42W (Tc)
パッケージ/ケース:
TO-261-4, TO-261AA について
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.8V @ 250μA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
100V
導入
FDT1600N10ALZは,onsemiから,MOSFETです. 私たちが提供するものは,世界の市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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標準的:
MOQ: