FDD8880
メーカー:
単体
記述:
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
13A (Ta),58A (Tc)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
31nC @ 10V
製造者:
一半
最低の量:
2500
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
Factory Stock:
0
動作温度:
-55°C~175°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
PowerTrench®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1260pF @ 15V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-252AA
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 35A, 10V
電力損失（最高）:
55W （Tc）
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
テクノロジー:
MOSFET （金属酸化物）
Vgs(th) (最大) @ Id:
2.5V @ 250µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
導入
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