フィルター
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MOSFET
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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FQPF8N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET 前進 Cシリーズ
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フェアチャイルド半導体
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IXTP02N120P |
MOSFET 500V から 1200V 極電源 MOSFET
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イクシス
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IPD50N04S4-08 |
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 オプティモス-T2
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インフィニオン・テクノロジーズ
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3LP01M-TL-E |
MOSFET NCH 1.5Vドライブシリーズ
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単体
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IPA65R660CFD |
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP クールモス CFD2
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IXFH74N20P |
MOSFET 74 アンペア 200V 0.034 Rds
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イクシス
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SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150V.315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
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ビシャイ半導体
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PMGD175XNEX |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
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ネクスペリア
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BSS84AKS、115 |
MOSFET P-CH -50 V -160 mA
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ネクスペリア
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IRFB7437PBF |
MOSFET 40V 2.0mOhm 195A ヘックスフェット 230W 150nC
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IPW60R099CP |
MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 クールモス CP
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 合格
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シリコンニックス / ビシャイ
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NX3008NBK215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH トレンチ MOSFET
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ネクスペリア
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試験対象となるのは, |
MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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ビシャイ半導体
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SPP11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 クールモス C3
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インフィニオン・テクノロジーズ
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FQPF8N80C |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ
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フェアチャイルド半導体
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FCD850N80Z |
MOSFET スーパーFET2 800V 850mOhm ゼナー
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単体
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ
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フェアチャイルド半導体
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SI4850EY-T1-E3 |
MOSFET 60V 8.5Amp 3.3W
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ビシャイ半導体
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FQB9P25TM |
MOSFET 250V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FDMC8884 |
MOSFET 30V Nチャネル電源溝
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フェアチャイルド半導体
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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SI3585CDV-T1-GE3 |
MOSFET 20 ボルト 3.9 アンペア 1.4 ワット
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ビシャイ半導体
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IXFK26N120P |
MOSFET 26 アムペア 1200V
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イクシス
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ATP113-TL-H |
MOSFET 切り替え装置
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単体
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SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
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シリコンニックス / ビシャイ
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IXFH16N50P |
MOSFET 500V 16A
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イクシス
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70Amp
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ビシャイ半導体
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SI4532CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89モハム @ 10V
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ビシャイ半導体
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FQA90N15 |
MOSFET 150V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FDA59N30 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
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フェアチャイルド半導体
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FQP22N30 |
MOSFET 300V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FQP4P40 |
MOSFET 400V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FQP70N10 |
MOSFET 100V NチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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FDMC86260 |
MOSFET NCHAN Sngle 150V 16A パワートランチ MOSFET
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単体
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FDMC86139P |
MOSFET PT5 100V/25V Pch パワー トレンチ モスフェット
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フェアチャイルド半導体
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FQPF7N80C |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET アドバンスト Cシリーズ
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フェアチャイルド半導体
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FQB12P20TM |
MOSFET 200V PチャネルQFET
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フェアチャイルド半導体
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0アンパール
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ビシャイ半導体
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FQT4N20LTF |
MOSFET 200V シングル
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フェアチャイルド半導体
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SI2307CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88モハム @ 10V
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ビシャイ半導体
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NTZD3154NT1G |
MOSFET 20V 540mA ダブルNチャネルw/ESD
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単体
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NX7002BKR |
MOSFET 60V Nチャネル トレンチ MOSFET
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ネクスペリア
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試験対象は,試験対象は, |
MOSFET デュアル N-Ch 30V Vds 7.1nC Qgタイプ
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シリコンニックス / ビシャイ
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IXTH110N10L2 |
MOSFET L2 線形電源MOSFET
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イクシス
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IPP60R125C6 |
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 クールモス C6
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インフィニオン・テクノロジーズ
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SI7121DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
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ビシャイ半導体
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SI1016X-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 モハムス@4.5V
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ビシャイ半導体
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BSC034N06NS |
MOSFET 差別化されたMOSFET
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インフィニオン・テクノロジーズ
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IPA60R190C6 |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 クールモス C6
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インフィニオン・テクノロジーズ
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